%0 Journal Article
%T Ag在Si表面吸附的第一性原理研究
%A 张　苗
%A 侯贤华
%A 王基蕴
%A 赵灵智
%A 胡社军
%A 汝　强
%J 华南师范大学学报(自然科学版)
%P 49-53
%D 2014
%R 10.6054/j.jscnun.2014.06.041
%X 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算优化了Ag原子在硅惯习面Si(111)和Si（220）晶面的最佳吸附位置，并计算了Ag/Si(111)和Ag/Si(220)体系的表面吸附能和表面态电子结构．研究表明Si基表面Ag原子的最稳定吸附居于Si(220)晶面的穴位，此时的吸附能最低，其值为5.2569eV，属于强化学吸附；同时由于在Ag/Si(220)体系中，Ag-4d轨道和表面态Si-3s、3p轨道电子的强相互作用，以及Ag-4p轨道的电子云强偏向于Si-3s、3p轨道使得体系的能隙宽度变窄，导电性急剧增大．
%K 表面吸附
%K Ag/Si(111)
%K Ag/Si(220)
%K 第一性原理
%U http://journal.scnu.edu.cn:8080/jwk_xbzrb/CN/abstract/abstract2963.shtml