%0 Journal Article
%T SOI嵌入式DRAM技术动态钳制电位DTMOS器件性能的优化设计(英文)
%A KimCS
%A BurkeF
%A RambhatlaA
%A 赵阳
%A ZahurakJ
%A ParkeSA
%J 南京师范大学学报(工程技术版)
%P 59-62
%D 2003
%X 描述了n沟道动态电位DTMOS半导体器件的直流和高频特性,该器件制造采用了低功耗CMOSSOC工艺,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术.在本工作中的DTMOS器件在较早时候就发现性能优于本体接地(GB)和本体浮地(FB)的MOSFET器件.本器件具有无特性曲线缠绕、gm=936μS/μm,gout=36μS/μm,Ion/Ioff=210μA/0.1pA,在Vdd=1V时fmax=32GHz的良好特性,特别适用于低电压嵌入式基频电路并具有对射频RF前端电路的极佳性能,因此可以使嵌入式DRAM、数字电路、模拟电路和RF射频电路混合于一体,用在超低功耗、低成本的SOC(系统集成)芯片系统中
%K 动态钳制电位DTMOS器件
%K 系统集成芯片
%K 嵌入式DRAM技术
%U http://njsfdxgckj.paperonce.org/oa/DArticle.aspx?type=view&id=20030416