%0 Journal Article
%T 硅的反应离子刻蚀工艺参数研究
%A 葛益娴
%A 王鸣
%A 戎华
%J 南京师范大学学报(工程技术版)
%P 79-82
%D 2006
%X 对硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低.
%K 反应离子刻蚀
%K 刻蚀速率
%K 优化工艺参数
%U http://njsfdxgckj.paperonce.org/oa/DArticle.aspx?type=view&id=20060318