%0 Journal Article
%T 衬底温度对射频溅射沉积ZAO透明导电薄膜性能的影响
%A 孙奉娄
%A 惠述伟
%J 中南民族大学学报(自然科学版)
%P 10-13
%D 2009
%X 利用射频磁控溅射法制备了ZAO透明导电薄膜,通过XRD、SEM等手段对薄膜特性进行测试分析,研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌及其光电性能的影响.结果表明:衬底温度从300 ℃增加到400 ℃时,薄膜晶粒增大,晶粒结构分布规则,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高.当衬底温度为400 ℃时ZAO薄膜的电阻率为2×10-3 Ω*cm、透过率为84 %,但是当衬底温度进一步升高时,薄膜性质将呈现下降趋势.
%K ZAO薄膜
%K 衬底温度
%K 电阻率
%K 透过率
%U http://znzk.scuec.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20090237&flag=1