%0 Journal Article
%T 分凝对0.80Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3-0.20BaTiO_3铁电单晶电学性能的影响
%A 陈超
%A 江向平
%A 林迪
%A 刘洪
%A 张钦辉
%A 罗豪甦
%J 硅酸盐学报
%D 2009
%X 采用坩埚下降法生长了尺寸为φ12mm×70mm的0.80Na1/2Bi1/2TiO3–0.20BaTiO3(0.80NBT–0.20BT)无铅铁电单晶。通过X射线荧光分析研究了晶体中的分凝现象。结果表明该单晶沿其纵向生长方向由顶部至底部,BaTiO3(BT)含量逐渐增加,晶体棒底部BT含量为32.15%(摩尔分数,下同),而顶部BT含量为14.26%。XRD分析表明室温下晶体棒为四方相钙钛矿结构。随着BT含量增加,室温下晶体[001]方向的介电常数减小,去极化温度升高。位于晶体棒中间部位的晶体样品0.81NBT–0.19BT的压电性能最佳,室温下该样品在[001]方向的电学性能指标分别为压电系数d33=158pC/N,机电耦合系数kt=0.463。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=16827