%0 Journal Article
%T 碳热还原-常压烧结法制备多孔氮化硅陶瓷
%A 鲁元
%A 杨建锋
%A 陆伟忠
%A 高积强
%A 陕绍云
%J 硅酸盐学报
%D 2009
%X 釆用SiO2和α-Si3N4在氮气中通过碳热还原–常压反应烧结法,原位反应制备了氮化硅多孔陶瓷。由于反应中存在大量的质量损失,烧结的制品为高气孔的材料。通过改变原料中α-Si3N4与SiO2和C粉的相对含量,可以形成具有细小针状结构的β-Si3N4晶粒,以此获得气孔率可控的高性能的多孔氮化硅材料。随着原料中α-Si3N4含量的增大,烧结后,样品的总质量损失逐渐减小,收缩率逐渐降低,气孔率逐渐减小,弯曲强度逐渐增大。当α-Si3N4的质量分数为50%时,碳热还原–常压反应烧结的样品中的β-Si3N4晶粒具有更高的长径比,样品气孔率为68.7%,具有优良的力学性能,弯曲强度达到37.7MPa。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=16815