%0 Journal Article
%T 生长温度对单晶衬底上生长Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3薄膜微结构和介电性能的影响(英文)
%A 接文静
%A 张鹰
%J 硅酸盐学报
%D 2009
%X 采用脉冲激光沉积方法,在制备有LaNiO3(LNO)底电极的LaAlO3(LAO)衬底上,分别在500,600℃和700℃的沉积温度下制备了锆钛酸钡Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜。通过X射线衍射表征薄膜的结构特性,原子力显微镜和扫描电子显微镜分别用来表征样品的表面和断面形貌。结果表明BZT薄膜与LNO具有c轴取向,并以cube-on-cube方式排列生长。BZT薄膜表面致密无裂缝,具有柱状生长的晶粒。薄膜的介电性能测试显示600℃下沉积的BZT薄膜具有较高的介电可调性(49.1%)和较低的介电损耗(2.5%)。在600℃下沉积的BZT薄膜的优值因子(figureofmerit,FOM)达到19.8。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=16804