%0 Journal Article
%T SiC沉积的机理研究
%A 李玫
%A 乔生儒
%A 张程煜
%A 韩栋
%J 硅酸盐学报
%D 2009
%X 在石墨基底上采用低压化学气相沉积法沉积SiC,沉积室是热壁。H2载气通过鼓泡法将三氯甲基硅烷(methyltrichlorosilane,MTS)送入沉积室,沉积基底的面积和沉积室的体积比为1×10-2mm-1。沉积参数为压力5kPa,温度1100℃,H2的流量为150mL/min,气相成分中H2和MTS的流量比为10。结果表明较大的液态聚基体表面能低,小液滴在大液滴表面沉积。H2流量小时,小液滴沿大液滴的生长锥顶部环状沉积,各生长锥间有间隙。H2流量增加时,小液滴无序的分散在大液滴的表面上。据此提出了一种可能的SiC的沉积和生长机理。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=16928