%0 Journal Article
%T 三氧化钨陶瓷的压敏特性和机理
%A 花中秋
%A 王海庆
%A 赵洪旺
%A 董亮
%A 王豫
%J 硅酸盐学报
%D 2010
%X 采用传统电子陶瓷烧结工艺,制备了无掺杂物的三氧化钨(WO3)陶瓷。分析了陶瓷样品经淬火和不同气氛下处理后的微结构和压敏电学特性。研究表明陶瓷冷却过程中在氧吸附的作用下,WO3陶瓷晶粒表面呈现氧元素富集。分析认为,晶粒表面吸附的氧与晶粒内的电子作用,在晶粒表面形成界面态,并进一步在晶界形成Schottky势垒,这可能是WO3陶瓷压敏行为的起源。根据实验结果,提出了一种修正的晶界Schottky势垒模型,解释了WO3陶瓷的压敏行为。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=34097