%0 Journal Article
%T 低温放电等离子烧结法制备氮化硅陶瓷
%A 李家亮
%A 牛金叶
%A 陈斐
%J 硅酸盐学报
%D 2011
%X 分别以MgO-Al2O3或MgO-AlPO4作为烧结助剂，采用放电等离子体低温快速烧结方法制备了主相为α相的Si3N4陶瓷材料。采用X射线衍射和扫描电子显微镜分析了样品的物相组成和显微结构；研究了烧结助剂及其含量、烧结温度对陶瓷样品的相对密度与力学性能的影响。结果表明当采用4%(质量分数，下同)MgO-4%Al2O3烧结助剂时，1400℃烧结的陶瓷样品的相对密度和弯曲强度达到最高，分别为81%和182MPa，且随烧结助剂中Al2O3含量的增加，样品的相对密度和弯曲强度降低。而当采用4%MgO-16%AlPO4烧结助剂时，1300℃烧结的陶瓷样品的相对密度和弯曲强度分别达到96%和366.5MPa，且样品的相对密度和弯曲强度随烧结温度的升高而增大。表明MgO-AlPO4可以用作Si3N4低温烧结的一种有效烧结助剂，可降低陶瓷的烧结温度和提高其力学强度。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=34445