%0 Journal Article
%T 磷掺杂对非晶硅薄膜结构及光电性能的影响
%A 殷官超
%A 高峰
%A 袁文辉
%A 夏冬林
%A 赵修建
%J 硅酸盐学报
%D 2011
%X 采用射频等离子增强化学气相沉积方法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a-SiH)薄膜。通过Raman散射光谱研究了不同磷烷掺杂含量薄膜的微结构，利用分光光度计对薄膜的厚度、消光系数和折射率进行了模拟，用高阻仪测得了非晶硅薄膜暗电导率。结果表明薄膜的中程有序度随着磷掺杂量φ(体积分数)的增加而减小；折射率在φ为0.8%时最大；在结构无序度随着φ而增大的影响下，薄膜暗电导率在φ为1%时达到最大，为8.41×10-3S/cm。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=40365