%0 Journal Article
%T 低温热处理对电子辐照直拉硅中V(O缺陷的影响
%A 蔡莉莉
%A 陈贵锋
%A 张辉
%A 郝秋艳
%A 薛晶晶
%J 硅酸盐学报
%D 2011
%X 采用能量为1.5MeV、辐照温度为100℃、辐照剂量为1.8×1018e/cm2电子辐照直拉单晶硅；然后对电子辐照样品进行不同温度和时间的低温(200～600℃)热处理。通过辐照样品的Fourier变换红外光谱研究了热处理后样品中的空位-氧相关缺陷的转化情况。结果表明未经热处理的电子辐照的硅样品中出现了空位-双氧复合体(VO2)缺陷的889cm-1吸收峰，这是由于辐照温度较高所致。经低温热处理后，在氧含量较低的辐照样品中的VO和VO2缺陷会相互转化，而氧含量较高的样品中VO、VO2吸收峰强度几乎不变。VO2和空位-三氧复合体(VO3)缺陷在450℃热处理30min后呈现出一定的稳定性。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=40578