%0 Journal Article
%T A位和B位Mn掺杂对Sr2Bi4Ti5O18电磁性能的影响
%A 王伟
%A 武鑫华
%A 毛翔宇
%A 陈小兵
%J 硅酸盐学报
%D 2011
%X 采用固相烧结工艺制备MnxSr2?xBi4Ti5O18(A-SBTi-x，x=0～0.08)和Sr2Bi4MnyTi5?yO18(B-SBTi-y，y=0～0.08)陶瓷样品，对比研究它们的结构和电磁性能。X射线衍射谱显示A位Mn掺杂对材料晶格常数a影响较大零掺杂时，a=0.3868nm；当Mn摩尔掺量为0.02时，a减小为0.3856nm；此后a随Mn掺量增加而增加，最大达到0.3870nm。B位Mn掺杂对晶格常数的影响较小。当Mn掺量很小时，A位和B位掺杂对剩余极化强度(2Pr)的影响不同；当Mn掺量较多时，A位和B位掺杂对2Pr的影响相似。室温，两种晶位掺杂的Mn离子均使材料表现出弱铁磁性。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=40642