%0 Journal Article
%T La掺杂对PLZT压电陶瓷及PLZT/PVDF复合材料结构及特性的影响
%A 余仁安
%A 井晓静
%A 闵春英
%A 沈湘黔
%A 潘铁政
%J 硅酸盐学报
%D 2011
%X 分别采用固相反应烧结法和注模法制备(Pb1–xLax)(Zr0.5Ti0.5)1–x/4O3(x=0.01～0.13)锆钛酸铅镧(leadlanthanumzironatetitanate，PLZT)压电陶瓷和0–3型PLZT/聚偏二氟乙烯(polyvinylidenefluoride，PVDF)复合材料。用X射线衍射表征PLZT陶瓷结构。用热膨胀系数突变法测量Curie温度，并研究PLZT陶瓷及其复合材料的介电与压电性能。结果表明随着La掺量从0.01增加到0.13，PLZT陶瓷的四方度逐渐减小，四方相逐渐向三方相转变；同时Curie温度从356℃线性下降到28℃；相对介电常数和介电损耗则逐渐增大；压电应变系数和机电耦合系数呈先增大后减小的趋势，在x=0.07处取得极大值，分别为224pC/N和0.5；随着PLZT陶瓷相Curie温度的下降及压电特性的变化，0–3型PLZT/PVDF复合材料的相对介电常数和压电应变系数呈逐渐上升趋势，其中压电应变系数从20pC/N增大到34pC/N，可归因于陶瓷相极化的改善。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=46802