%0 Journal Article
%T 2012年发表的前10名高被引频次论文
%A 云斯宁
%A 孙毅
%A 甘艳萍
%A 李玉祥
%J 硅酸盐学报
%D 2012
%X 采用低温水热技术，制备了铝掺杂氧化锌(Al-ZnO，AZO)纳米光电材料，利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、光电子能谱仪及半导体分析仪研究了铝掺杂浓度对AZO纳米线阵列的结构、形貌、表面化学结构及电学性能的影响。结果表明Al3+已经成功取代Zn2+，掺杂进入氧化锌的晶格，形成了Al—O键；AZO纳米线阵列为单晶结构，其取向垂直、形貌良好、致密度高；随着硝酸铝浓度的增加，AZO纳米线阵列的长径比增加、电导率增加、电阻降低。铝掺杂导致AZO纳米线阵列电学性能的改善归因于铝占据ZnO晶格中锌位置引起电子浓度的净增加。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=47466