%0 Journal Article
%T 中子辐照6H-SiC晶体的退火特性及缺陷观测
%A 阮永丰
%A 黄丽
%A 王鹏飞
%A 马鹏飞
%A 贾敏
%A 祝威
%J 硅酸盐学报
%D 2012
%X 利用X射线衍射(XRD)研究中子辐照6H-SiC晶体的退火特性，发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽(fullwidthathalfmaximum，FWHM)增大，之后又随退火温度的升高，在700～1230℃范围内呈线性规律的回复。以此规律为依据，可发展一种适合测量高温和复杂温度场温度的测温方法。采用添加了K2CO3的KOH为腐蚀剂，对辐照前、辐照后及辐照后退火的掺氮6H-SiC单晶进行位错腐蚀观察，发现经中子辐照的晶体中位错面积比随退火温度的变化趋势与FWHM随退火温度的变化趋势基本一致，由此认为经中子辐照所产生的位错可能是导致XRD峰的FWHM变化的一个重要因素。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=47534