%0 Journal Article
%T In含量对Ge–In–Se薄膜光学特性的影响
%A 陈芬
%A 王永辉
%A 聂秋华
%A 王国祥
%A 陈昱
%A 沈祥
%A 戴世勋
%J 硅酸盐学报
%D 2013
%X 采用磁控溅射法制备了Ge–In–Se硫系薄膜，利用X射线衍射、可见–近红外吸收光谱和Raman光谱分析等技术对Ge–In–Se硫系薄膜的相态、结构和光学特性进行了研究和分析。结果表明该Ge–In–Se薄膜具有良好的非晶特性。Raman光谱分析表明[GeSe4]四面体Ge—Se键的高频振动模式是该薄膜的主要振动模式之一，且Ge—Se键的振动强度随着In含量的增加而减小；当In的含量达到13.87%(摩尔分数)时，[GeSe4]四面体消失，而[InSe4]四面体的对称伸缩振动模式成为了主要振动模式。采用Swanepoel方法和经典Tauc方程计算发现随着In含量增加，该薄膜的短波吸收限红移，折射率逐渐增大，光学带隙逐渐减小。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=47840