%0 Journal Article
%T 硼掺杂量对P型a-Si:H膜微结构和光/电学性能的影响
%A 时惠英
%A 董丹
%A 蒋百灵
%A 鲁媛媛
%A 刘宁
%J 硅酸盐学报
%D 2013
%X 采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同硼掺杂比的P型a-SiH系列薄膜。研究了硼掺杂比对P型a-SiH薄膜微结构和光/电学性能的影响；同时，对最优掺杂比下的P型a-SiH薄膜进行了真空退火处理，以研究薄膜晶体结构的改变对其光/电学性能的影响。结果表明随着硼掺杂比的增加，P型a-SiH薄膜的非晶结构没有实质改变，但其光学带隙及电学性能均有明显变化，总结出最佳硼掺杂比为1.0%。经真空退火处理后，P型a-SiH薄膜的有序程度明显提高，光学带隙从1.81eV降低到1.72eV，电导率提高3个数量级。薄膜的晶体结构比硼掺杂量对薄膜电学性能的改善更为显著。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=47836