%0 Journal Article
%T 一种利用层错无损测量4H-SiC外延层厚度的方法
%A 苗瑞霞
%A 张玉明
%A 张义门
%A 汤晓燕
%J 硅酸盐学报
%D 2010
%X 介绍了一种利用层错无损测量4H-SiC半导体材料外延层厚度的方法。该方法是根据4H-SiC同质外延生长中堆垛层错(stackingfault,SF)和外延层厚度的几何关系,通过测量在场发射扫描电子显微镜下观测到的SF沿[1100]方向边长的长度,计算出外延层厚度。与常用外延层厚度测量方法(红外干涉法)相比,这种无损测量方法更为简易精确。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=17133