%0 Journal Article
%T 中子辐照6H--SiC晶体的光学性质及缺陷分析
%A 侯贝贝
%A 阮永丰
%A 李连钢
%A 王鹏飞
%A 黄丽
%A 陈敬
%J 硅酸盐学报
%D 2014
%R 10.7521/j.issn.0454－5648.2014.03.15
%X 利用透射电子显微镜、紫外--可见--近红外光谱和Raman光谱，对剂量为1.67×1020n/cm2中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示，辐照并没有造成样品的完全非晶化，辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体。辐照后的样品的光吸收明显增加，带隙变小，Urbach能量变大，且在1178、1410和1710nm处出现新的吸收峰。1178和1410nm峰的出现归因于辐照产生的Si空位VSi。对辐照样品进行了室温至1600℃退火，发现800℃是退火过程的转折点。低于800℃退火时，样品中的Frankel对、间隙原子和C空位VC消失；高于800℃退火时，含Si空位VSi缔合缺陷及复杂缺陷团分解湮灭。为了解释与VSi有关的多个光谱峰，建立了SiC中硅空位的“类铍原子模型”。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=48169