%0 Journal Article
%T 多晶硅还原炉内三氯氢硅氢还原过程的数值模拟
%A 夏小霞
%A 周乃君
%J 硅酸盐学报
%D 2014
%R 10.7521/j.issn.0454－5648.2014.07.20
%X 建立了多晶硅还原炉内SiHCl3氢还原过程的三维模型，利用CFD软件对炉内的流动、传热和化学反应过程进行了数值模拟，并分析了硅棒高度和硅棒直径对沉积特性的影响。结果表明随着硅棒高度的增加，SiHCl3转化率、硅产率和硅表面沉积速率不断增大，单位能耗不断减小；从反应的角度来说，硅棒高度越高越好；随着硅棒直径不断增加，SiHCl3转化率和硅产率逐渐增大，硅表面沉积速率先减小、后增大，单位能耗先急剧减小、然后趋于平缓；理论上硅棒直径越大越好，且最好超过120mm。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=48292