%0 Journal Article
%T 磷锗锌晶体生长与缺陷结构
%A 雷作涛
%A 朱崇强
%A 宋梁成
%A 杨春晖
%A 谷立山
%J 硅酸盐学报
%D 2014
%R 10.7521/j.issn.0454－5648.2014.08.020
%X 采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶，并用垂直Bridgman法生长出直径为40～50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响，认为V和Zn缺陷的影响最大。利用X射线衍射形貌术对晶体中存在的位错、层错、孪晶界、包裹体等微缺陷进行了分析，结果表明，温度场稳定性和固液生长界面形态是缺陷形成的主要因素。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=48336