%0 Journal Article
%T 化学浴沉积法制备Sb掺杂SnS薄膜
%A 夏冬林
%A 徐俊
%A 黄波
%J 硅酸盐学报
%D 2015
%R 10.14062/j.issn.0454-5648.2015.12.14
%X 以氯化亚锡、硫代乙酰胺、三氯化锑为反应物，采用化学浴沉积法在玻璃衬底上沉积不同锑掺杂量(摩尔分数)硫化锡(SnSSb)膜，研究了锑掺杂量对薄膜晶相结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明锑掺杂SnS薄膜是具有正交结构多晶薄膜，薄膜为纳米片组装成的花状球形颗粒。随着Sb掺杂量由1.8%增加到7.2%，其相应的禁带宽度从0.93eV增加到1.30eV。随着Sb掺杂量的增加，SnS薄膜的电阻率呈现先下降后增大趋势，当Sb掺杂量为3.6%时，其最小值为5.21×103?·cm。
%U http://www.jccsoc.com/Magazine/Show.aspx?ID=48964