%0 Journal Article
%T Al-Si合金熔析结晶过程中界面稳定性与硅晶体生长的控制
%A 陈杭
%A 王志
%A 池汝安
%A 靖青秀
%A 孙丽媛
%A 杜冰
%J 过程工程学报
%D 2015
%X 利用交变磁场与温度场耦合作用，通过控制Al-Si合金熔析结晶时硅晶体生长过程中固液界面的稳定性，解决硅熔析精炼过程中硅晶体与合金熔剂分离难的问题，分析了耦合物理场在结晶过程中的作用机理.结果表明，硅铝合金熔体中硅含量越高，越难发生成分过冷现象，固液界面越稳定，有助于生成致密的块状硅晶体；坩埚内径由3cm降至1cm，熔体内温度场分布发生变化，固液界面曲率由16.7变为125，形成的硅晶体更致密，硅晶体与合金熔剂的分离效果增强，硅晶体区域所占比例由0.57减小至0.42；下拉速度越慢，固液界面越稳定，硅晶体与合金熔剂的原位分离效果越好，当其为0.05mm/min时，样品底部硅晶体比例为99.9%，而样品顶部基本没有硅晶体.电磁场的电磁搅拌作用可增大熔体流动，强化熔体传质，增大固液界面前沿硅含量，提高固液界面稳定性.
%K 熔析结晶
%K 硅铝合金
%K 硅
%K 固液界面
%K 分离
%K 电磁场
%U http://www.jproeng.com/qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=17839