%0 Journal Article
%T 单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究
%A 张大庆
%A 李国斌
%A 陈长水
%J 量子电子学报
%P 107-115
%D 2014
%X 通过对InxGa1-xN掺杂不同组份的In来改变InxGa1-xN的禁带宽度，从而改变量子阱势垒高度，并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间的关系。通过仿真模拟实验研究了不同量子阱势垒高度与InGaN/GaN量子阱发光二极管的功率光谱密度、内量子效率、发光功率及复合率之间的关系。分析结果表明(1)In含量与发光二极管的光电性能并非成线性关系。(2)在电流密度较低时，In组份越小，光谱密度峰值越大，发光功率越大。(3)在电流密度较大时，In组份越大，光谱密度峰值越大，发光功率越大。(4)光谱蓝移与电流密度大小紧密相关，电流密度大的蓝移程度大，反之越小。因此，应该根据不同的电流密度来选择In组份的大小，从而提高发光效率。
%K 光电子学
%K 量子阱垒高
%K In含量
%K 数值模拟
%K InGaN/GaN发光二极管
%U http://lk.hfcas.ac.cn/CN/abstract/abstract8967.shtml