%0 Journal Article
%T 近期光刻用ArF准分子激光技术发展
%A 游利兵
%A 周翊
%A 梁勖
%A 余吟山
%A 方晓东
%A 王宇
%J 量子电子学报
%P 522-527
%D 2010
%X 193nmArF准分子激光光刻技术已广泛应用于90nm以下节点半导体量产。ArF浸没式也已进入45nm节点量产阶段。双图形光刻（DPL）技术被业界认为是下一代光刻32nm节点最具竞争力的技术。利用双图形技术达到32nm及以下节点已经被诸多设备制造商写入自己的技术发展线路。Cymer公司和Gigaphoton公司为双图形光刻开发了高输出功率、高能量稳定性和具有稳定的窄谱线宽度ArF准分子光源。分析了近期发展用于改进准分子激光性能的关键技术主振-功率再生放大(MOPRA)结构、主振-功率振荡(MOPO)结构，主动光谱带宽稳定技术，先进的气体管理技术。对光刻用准分子激光光源技术发展趋势进行了简要的讨论。
%K 激光技术
%K ArF准分子激光
%K 光刻
%K 双图形
%U http://lk.hfcas.ac.cn/CN/abstract/abstract8542.shtml