%0 Journal Article
%T 含Rashba自旋轨道耦合二维电子气结构中电子反常位移及自旋分离
%A 杨晓芳
%J 量子电子学报
%P 318-323
%D 2011
%X 研究了含Rashba自旋轨道耦合的磁电调制半导体二维电子气中弹道电子的反常位移（Goos-H?nchen位移，即GH位移）。计算中发现，通过调节结构的各个参数包括入射角、磁场强度和Rashba自旋轨道耦合系数，可以有效地调控GH位移，并且在一定条件下可以为负。电子的GH位移和自旋极化态有密切关系，这个自旋相关的位移可以用来分离不同自旋极化的电子束。基于这种现象，提出了一种利用GH位移在半导体2DEG中分离不同自旋极化电子的方法。
%K 光电子学
%K 自旋分离
%K Goos-H？nchen位移
%K Rashba自旋轨道耦合
%U http://lk.hfcas.ac.cn/CN/abstract/abstract8627.shtml