%0 Journal Article
%T 4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究
%A 郑云哲
%A 林冰金
%A 张明昆
%A 蔡加法
%A 陈厦平
%A 吴正云
%J 量子电子学报
%P 737-741
%D 2011
%X 利用光电流谱法研究了300K到60K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的降低，探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小；而且，反向偏压越高，暗电流减小的速率越大。在零偏压下，随着温度的降低，器件的温度从300K降低到60K时，相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动，后向长波方向移动，在60K时移至从272nm附近移至282nm附近；同时观察到探测器的相对光谱响应范围略有缩小，。此外，我们对器件并讨论了温度变化对器件p、i、n各层产生的光电流随温度变化的机理进行讨论，提出了可以通过减少i层缺陷和适当减小n层的掺杂浓度的方式来提高器件的相对光谱响应。
%K 光电子学
%K 4H-SiC
%K p-i-n紫外光电探测器
%K 温度特性
%K 光电特性
%U http://lk.hfcas.ac.cn/CN/abstract/abstract8691.shtml