%0 Journal Article
%T Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成光子晶体能态密度特性
%A 陈士芹
%J 量子电子学报
%P 491-494
%D 2012
%X 基于平面波展开法，以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形格子光子晶体，并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟。结果表明，Ⅲ-Ⅴ族半导体材料构成二维方形格子光子晶体具有较好的光子带隙，形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大，f=0.2a时归一化频率达到最大光子带隙，AISb具有较宽的光子禁带。该研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。
%K 光电子学
%K 能态密度特性
%K 平面波展开法
%K 半导体材料
%K 光子晶体
%U http://lk.hfcas.ac.cn/CN/abstract/abstract8806.shtml