%0 Journal Article
%T 取代位置对香豆素衍生物二阶非线性光学性质影响的DFT研究
%A 梁小蕊
%A 王刚
%A 江炎兰
%A 赵波
%J 量子电子学报
%P 485-490
%D 2012
%X 采用密度泛函理论（DFT）B3LYP/6-31G方法，对设计的6个不同位置取代氨基的香豆素衍生物的几何构型进行优化。在所得优化结构的基础上对这些分子的稳态二阶NLO系数β值进行计算分析，并采用含时密度泛函理论（TD-DFT）方法计算了其电子性质，研究了取代位置对香豆素类衍生物分子的二阶NLO性质的影响规律。结果表明当氨基取代在4号位时香豆素分子中的羰基表现出供电性，对分子内电荷转移非常不利，不利于提高分子的β值；当氨基取代在在3、5、6、7、8位时分子中的羰基表现出吸电性，使分子形成D-π-A构型，并且氨基在3、7位的取代能够扩大体系的共轭范围，有效增加了香豆素分子的βtot值。
%K 非线性光学
%K 二阶非线性效应
%K 密度泛函
%K 香豆素
%K 取代位置
%U http://lk.hfcas.ac.cn/CN/abstract/abstract8794.shtml