%0 Journal Article
%T Cu掺杂对ZnO氧化物电子结构与电输运性能的影响
%A 韦金明
%A 张飞鹏
%A 张久兴
%J 量子电子学报
%P 372-378
%D 2014
%X 采用平面波超软赝势密度泛函理论计算的方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构，在此基础上分析了其电输运性能。计算结果表明，Cu掺杂ZnO氧化物具有0.6eV的直接带隙，且为p型半导体，在导带和价带中都出现了由Cu电子能级形成的能带，体系费米能级附近的能带主要由Cup态、Cud态和Op态电子构成，且他们之间存在着强相互作用。电输运性能分析结果表明，Cu掺杂的ZnO氧化物价带中的载流子有效质量较大，导带中的载流子有效质量较小；其载流子输运主要由Cup态、Cud态、Op态电子完成，且需要载流子（空穴和电子）跃迁的能隙宽度较未掺杂的ZnO氧化物减小。
%K 材料
%K ZnO氧化物
%K Cu掺杂
%K 电子结构
%K 电输运性能
%U http://lk.hfcas.ac.cn/CN/abstract/abstract9010.shtml