%0 Journal Article
%T 基于二维数值仿真技术的局部场氧化形状建模
%A 陈晓敏
%J 重庆邮电大学学报(自然科学版)
%D 2012
%X 通过工艺仿真软件S-Tsuprem4对CMOS中常用的硅局部场氧化（localoxidationsilicon，LOCOS）技术所生成的“鸟嘴”图形进行了仿真，提出了一种形状模型。随后利用最小二乘拟合法得到相对应的参数，拟合误差为7e-4,并最后以分段函数的方式给出了模型的表达式。该模型可以使“鸟嘴”结构更加方便应用于半导体器件的数值仿真和设计。
%K 工艺仿真
%K 硅局部场氧化（LOCOS）
%K 形状模型
%K 最小二乘拟合
%K 分段函数
%U http://journal.cqupt.edu.cn/jcuptnse/jcuptnse/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20120424&flag=1