%0 Journal Article
%T MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究
%A 申君君
%A 王巍
%A 王玉青
%J 重庆邮电大学学报(自然科学版)
%D 2008
%X 在结合考虑6HSiC肖特基二极管正向热电子发射理论和氢吸附效应的基础上,研究了MIS氢敏传感器的敏感机理,建立了传感器模型，具体分析了绝缘层厚度、灵敏度对传感器特性的影响。利用MATLAB对传感器的电流电压响应特性、灵敏度、电流分辨率与绝缘层之间的关系进行了仿真，结果表明绝缘层厚度、灵敏度是影响传感器性能的重要因素，并确定了在300℃时传感器最佳绝缘层厚度为2~2.35nm，从而有效地提高了传感器灵敏度。
%K 6H
%K SIC
%K 肖特基二极管
%K 氢敏传感器
%U http://journal.cqupt.edu.cn/jcuptnse/jcuptnse/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20080615&flag=1