%0 Journal Article
%T 6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究
%A 王玉青
%A 王巍
%A 申君君
%J 重庆邮电大学学报(自然科学版)
%D 2009
%X 研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型，分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系。在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响，并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型。由于在假设界面态密度分布均匀条件下，对界面态做了简化处理，因而计算结果与实验结果有所差异。
%K SiC
%K 埋沟MOSFET
%K C-V特性
%K 界面态
%U http://journal.cqupt.edu.cn/jcuptnse/jcuptnse/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20090118&flag=1