%0 Journal Article
%T 三氟化硼纯化技术研究进展
%A 张卫江
%A 李波
%A 徐姣
%A 王楠楠
%J 化工进展
%P 2603-2608
%D 2012
%X 三氟化硼气体是半导体离子注入的重要离子掺杂源。为了达到电子级气体纯度的要求，三氟化硼气体的纯化技术研究具有重要意义。文中对三氟化硼气体的纯化工艺技术，即冷阱法、低温精馏法、选择性吸附法、化学转化法和多种工艺耦合联用进行了对比，分析各种工艺的优缺点冷阱法操作简便，成本低，但纯度不够；低温精馏法分离效果好，但能耗大，操作条件要求比较严格；选择性吸附和化学转化法操作简易，设备安全，但吸附剂性能不太稳定，吸附效率有待提高。结合高丰度三氟化硼气体的纯化除杂背景，重点介绍选择吸附与低温精馏耦合联用工艺，纯化后的三氟化硼气体纯度可以达到99.995%。提出冷阱、物理吸附、化学转化以及精馏结合的方法，得到的高纯气体可以应用于电子工业领域。
%K 电子气体
%K 三氟化硼
%K 纯化
%K 低温精馏
%K 吸附
%U http://www.hgjz.com.cn/CN/abstract/abstract13542.shtml