%0 Journal Article
%T 电化学Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进展
%A 石维
%A 杨邦朝
%A 张选红
%A 方鸣
%A 马建华
%A 李玮
%A 王兴伟
%J 化工进展
%P 832-836
%D 2013
%X 介绍了阳极Ta2O5薄膜的电化学形成机理，并重点分析了电化学形成的Ta2O5薄膜漏电流机理的研究进展。描述了影响电化学Ta2O5薄膜生长的关键因素，包括氧含量、杂质缺陷和薄膜晶化等；分析了Ta2O5薄膜漏电流机理，如空间电荷限制电流（SCLC）、Fowler-Nordheim(F-N)导电机理、Pool-Frenkel(PF)发射、Schottky(S)发射等。最后展望了降低电化学Ta2O5薄膜材料的漏电流的理论及技术发展前景，Ta2O5薄膜后期的热处理、高分子增强塑性和复合薄膜技术等方面的新技术的应用将值得期待。
%K 电化学方法
%K Ta2O5薄膜
%K 钽电解电容器
%K 漏电流
%U http://www.hgjz.com.cn/CN/abstract/abstract14227.shtml