%0 Journal Article
%T 模板合成H4PMo11VO40/聚苯胺纳米线列阵及其聚合机理探讨
%A 殷广明
%A 邓启刚
%A 毕野
%A 杨万丽
%A 吕仁江
%A 周德瑞
%J 高分子学报
%P 430-434
%D 2008
%R 10.3724/SP.J.1105.2008.00430
%X 在氧化铝模板中制备了HPA/PANI纳米线列阵，SEM、TEM表明列阵中纳米线直径约为80nm；XRD与FT-IR证明形成了有效掺杂；单根纳米线的导电率为16.2S·cm-1；材料的TG-DTA表明PANI纳米线材料有三步失重过程，失去吸附水过程，多酸失去结晶水和PANI结构持续分解过程，多酸结构分解过程；在氧化聚合过程中H4PMo11VO40即为质子酸又为氧化剂和掺杂剂；聚合反应采用自由基机理进行，掺杂反应发生在形成醌二亚胺式自由基正离子和双苯胺式自由基正离子和醌二亚胺式自由基正离子偶联聚合成链结构时.
%K AAO模板
%K H4PMo11VO40
%K 聚苯胺
%K 纳米线列阵
%K 聚合机理
%U http://www.gfzxb.org/CN/abstract/abstract9224.shtml