%0 Journal Article
%T 不同边界条件下导电高分子电子结构的研究
%A 吕岿
%A 童国平
%A 杨慧
%A 杨建荣
%A 章林溪
%A 赵得禄
%J 高分子学报
%P 374-380
%D 2003
%X 用一维复式晶格作为反式聚乙炔的模型,在周期与非周期边界条件下,考虑链端效应并计及电子的非近邻跳跃,数值计算了格点数分别等于N=10、50、100和200时聚乙炔的能谱和态密度.讨论了不同格点数和结构参数对态密度及带宽的影响,并对两种边界条件下的计算结果进行了比较.计算结果表明,当格点数N<50时,两者相差较大,这表明系统的边界将起很大作用;当格点数N≥50时,两者相差甚微,这时可利用周期性边界条件来研究有限系统问题.
%K 复式晶格
%K 态密度
%K 表面态
%K 链端效应
%U http://www.gfzxb.org/CN/abstract/abstract10528.shtml