%0 Journal Article
%T MWCNTs与疏水纳米SiO2填充PMMA/PS共混物的导电与动态流变行为
%A 黄真芝
%A 宋义虎
%A 谭业强
%A 郑强
%J 高分子学报
%P 88-94
%D 2013
%R 10.3724/SP.J.1105.2013.12155
%X 以多壁碳纳米管(MWCNTs)为导电填料、疏水纳米二氧化硅(SiO2)为非导电填料,填充不相容聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/聚苯乙烯(PS)(1/1,V/V)共混物,制备(PMMA/SiO2)/(PS/MWCNTs)四元导电高分子复合材料(CPC),研究其导电逾渗与动态流变行为,并与PMMA/(PS/MWCNTs)三元CPC进行对比.发现三元、四元CPC具有类似的导电逾渗行为,且逾渗阈值显著低于PS/MWCNTs二元CPC.在四元CPC中,SiO2粒子可细化相区尺寸,提高熔体模量,但不影响熔体热处理过程中的依时性动态导电逾渗行为.MWCNTs与SiO2均显著影响熔体热处理中的依时性模量逾渗行为,分别缩短、延长四元CPC相粗化起始时间,但均延长相粗化时间区间.
%K 多壁碳纳米管
%K 疏水纳米二氧化硅
%K 聚苯乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯共混物
%K 逾渗
%K 动态流变特性
%U http://www.gfzxb.org/CN/abstract/abstract13777.shtml