%0 Journal Article
%T 利凡诺的吸附溶出伏安法研究
%A 杨欣
%A 林树昌
%A 胡乃非
%J 化学学报
%P 111-115
%D 1994
%X 在NH~3-NH~4Cl底液中,利凡诺(RIL)在汞电极上有一线性扫描还原峰,E~P~C=-1.42V(vs.饱和Ag/AgCl电极).该峰具有明显的吸附性.当RIL浓度较小,扫描速度较快,搅拌富集时间较长时,电极反应完全为吸附态的RIL的还原所控制.吸附粒子为RIL中的二氨基乙氧基丫啶中性分子.测得RIL在汞电极上的饱和吸附量为4.0×10^-^1^0mol·cm^-^2,每个RIL分子所占电极面积为0.42nm^2,电子转移数n为2,不可逆吸附的转移系数α为0.71.探讨了RIL在汞电极上还原的机理.并建立了吸附溶出伏安法测定RIL的最佳条件,最低检测限为1.0×10^-^9mol·dm^-^3
%K 汞电极
%K 利凡诺
%K 吸附溶出伏安法
%K 电化学性质
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract329072.shtml