%0 Journal Article
%T 锑对在硫酸溶液中形成的阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜的半导体性质的影响Ⅲ.交流阻抗法研究阳极Sb~2O~3膜
%A 浦琮
%A 周伟舫
%A 张亿良
%J 化学学报
%P 331-336
%D 1994
%X 应用交流阻抗方法研究锑在0.005mol.dm^-^3SO~4+0.5mol.dm^-^3Na~2So~4溶液(30℃)中以0.9V(vs.Hg/Hg~2SO~4/0.005mol.dm^3SO~4)生长3h的阳极Sb~2O~3膜的半导体性质.从Mott-schottky曲线可知.此膜为n型半导体.平带电位为-0.34v(vs.Hg/Hg~2SO~4/0.005mol.dm^-^3SO~4).施主密度为4.0×19^1^9cm^-^3.讨论了锑增加铅锑合金极PbⅡ氧化物膜施主密度的原因.
%K 锑
%K 硫酸
%K 铅化合物
%K 膜
%K 阳极
%K 氧化合物
%K 半导体
%K 蓄电池
%K 交流阻抗法
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract327223.shtml