%0 Journal Article
%T CdO掺杂对BaTiO3基半导化陶瓷PTCR效应的改善
%A 齐建全
%A 李龙土
%A 朱青
%A 王永力
%A 桂治轮
%J 化学学报
%P 1942-1945
%D 2001
%X 钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂切相关，蒸汽掺杂能够大幅度影响材料的PTCR效应。CdO在高温下具有较高的蒸汽压，是一种适用的蒸汽掺杂剂，研究了CdO以及CdO蒸汽对掺Y^3+的Ba1-xSrxTiO3陶瓷的PTCR效应的影响，结果首次发现了Cd^2+掺杂样品的PTCR效应都有不同程度的提高，采用蒸汽掺杂时，效果更为显著。现有的理论很难解释Cd^2+掺杂能够提高钛酸钡基材料PTCR效应。我们从缺陷化学的角度，分析了Cd^2+在BaTiO3基材料中的行为，推断表明这种现象可能是由于铁电相变时，处于晶界区的Cd^2+在Ba位和Ti位之间转换造成的。
%K 氧化镉
%K 掺杂
%K 钛酸铅
%K 陶瓷
%K 正温度系数
%K 热敏电阻器
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract337108.shtml