%0 Journal Article
%T 二代树状碳硅烷液晶研究I.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元
%A 张其震
%A 刘建强
%A 殷晓颖
%A 张静智
%A 季怡萍
%A 赵晓光
%A 李光
%J 化学学报
%P 416-421
%D 2003
%X 用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的二代树状碳硅烷液晶（D_2），并用元素分析，氢谱，激光质谱，红外，紫外，偏光显微镜，DSC和WAXD法表征D2为向列相，与M5相同，二代树状物相态由介晶基定．D2液晶态相行为是K85N107I103N69K，其熔点比M5降低27-41℃，清亮点比M5降低17-18宽10-23℃．二代碳硅烷（D2）与一代碳硅烷（D1）相比熔点增加2-3℃，清亮点降低26-29℃，液晶态温区减少℃．在二代树状物中观察到S＝＋3／2的高强向错．
%K 碳硅烷
%K 液晶
%K 苯偶氮化合物
%K 元素分析
%K 红外分光光度法
%K 紫外分光光度法
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract327906.shtml