%0 Journal Article
%T 多孔硅上贵金属的浸入沉积
%A 常彦龙
%A 苏旭
%A 时雪钊
%A 王春明
%J 化学学报
%P 2527-2532
%D 2007
%X 将多孔硅浸入含贵金属盐的HF溶液20s,制备了Ag,Au,Pd和Pt的沉积层.AFM形貌显示,这4种贵金属都能在多孔硅上直接沉积,但Pt的沉积量比其他3种少.SEM图及能谱(EnergydispersiveX-rayspectrometer,EDS)分析显示,沉积层优先生长在孔边上,孔边上的沉积量约是孔底的4.6倍.电化学方法分析显示,Pd和Pt,Ag和Au的沉积层分别具有类似的开路电位和交流阻抗特性,其中Pd层的溶出电流比其他3种大1个数量级,而阻抗比其他小1个数量级,说明Pd层与硅基底的结合程度好,结合界面导电性好.
%K 多孔硅
%K 贵金属
%K 浸入沉积
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract330396.shtml