%0 Journal Article
%T 静电纺丝技术制备TiO2@SiO2亚微米同轴电缆与表征
%A 张双虎
%A 董相廷
%A 徐淑芝
%A 王进贤
%J 化学学报
%P 2675-2679
%D 2007
%X 用静电纺丝技术成功制备出大量的TiO2＠SiO2亚微米同轴电缆.用TGA-DTA,XRD,SEM,TEM,EDS,FTIR分析技术对样品结构和组成进行了系统的表征.结果表明,得到的产物为TiO2＠SiO2亚微米级同轴电缆,以无定型SiO2为壳层,晶态TiO2为芯层,电缆平均直径450nm,壳层厚度90nm,电缆长度＞300μm,同时在样品中发现个别纤维呈现管状结构,对其形成机理进行了讨论.
%K 静电纺丝
%K 亚微米电缆
%K 同轴电缆
%K 二氧化钛
%K 二氧化硅
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract330634.shtml