%0 Journal Article
%T 影响Langmuir-Blodgett膜中缺陷畴区的因素
%A 邓穗平
%A 欧阳健明
%J 化学学报
%P 959-963
%D 2008
%X 采用扫描电子显微镜(SEM)和荧光显微镜研究了基片种类、温度、制膜参数(如Langmuir-Blodgett膜沉积压、压膜速度、提膜速度等)和LB膜层数对LB膜中缺陷畴区的影响及其对尿石矿物——水草酸钙(COM)晶体生长的指导作用.LB膜中的缺陷畴区可以诱导圆形COM沉积图形形成,但在石英基片上的图形数量只有云母基片上的5%左右.制膜温度由25℃降低至18℃时,出现非圆形COM沉积图形,尺寸亦有增大的趋势.随着沉积压从2mN/m增大到10mN/m,云母基片上圆形COM晶体沉积图形数量减少,沉积图形尺寸趋于均一,非圆形图形数量增加.随着压膜速度增加,膜中缺陷增加.当LB膜的层数由1层增加到2,3,5层后,其诱导的COM图形数量逐渐减少,尺寸也相应减小,即单层LB膜的缺陷比多层膜的多,且更容易受到基片的影响.
%K LB膜
%K 单分子膜
%K 草酸钙
%K 生物矿化
%K 尿石
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract331993.shtml