%0 Journal Article
%T 一种新型分子印迹聚合物基的化学发光阵列传感器
%A 章竹君
%A 常平平
%J 化学学报
%P 2727-2731
%D 2009
%X 建立了一种分子印迹-化学发光阵列传感器测定甘氨酸的新方法.该方法以甘氨酸为模板分子,合成了分子印迹聚合物微球,将该聚合物微球固定在96孔板上,用它来识别丹磺酰氯标记的甘氨酸(Dns-Gly).最后加入化学发光试剂(TCPO-H2O2-咪唑),测量相对化学发光强度定量检测甘氨酸.在最佳试验条件下,相对化学发光强度和甘氨酸的浓度在0.2～60μmol/L范围内成良好的线性关系,相关系数为r＝0.9972,方法的检出限为0.07μmol/L,对1μmol/L甘氨酸溶液进行11次平行测定,相对标准偏差为3.3%(n＝11).由于以甘氨酸为模板分子合成出来的分子印迹聚合物空腔比较小,避免了非特异性吸附,使它在识别丹磺酰氯标记的甘氨酸时特异性、响应速度和灵敏度都有所增强.
%K 分子印迹
%K 化学发光
%K 阵列传感器
%K 甘氨酸
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract338418.shtml