%0 Journal Article
%T 同轴静电纺丝技术制备Y2O3:Eu3＋@SiO2豆角状纳米电缆与表征
%A 王进贤
%A 张贺
%A 董相廷
%A 徐淑芝
%A 刘桂霞
%J 化学学报
%P 501-507
%D 2010
%X 采用同轴静电纺丝技术,以氧化钇、氧化铕、正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、无水乙醇、PVP和DMF为原料,成功制备出大量的Y2O3Eu3＋@SiO2豆角状纳米电缆.用TG-DTA,XRD,SEM,TEM和荧光光谱等分析技术对样品进行了系统地表征．结果表明,得到的产物为Y2O3Eu3＋@SiO2豆角状纳米电缆,以无定型SiO2为壳层,晶态Y2O3Eu3＋球为芯,电缆直径约为200nm,内部球平均直径约150nm,壳层厚度约为25nm,电缆长度＞300μm.纳米电缆内部为球状结构,沿着纤维长度方向有序排列,形貌均一.Y2O3Eu3＋@SiO2豆角状纳米电缆在246nm紫外光激发下,发射出Eu3＋离子特征的波长为614nm的明亮红光.对其形成机理进行了初步讨论.
%K 同轴静电纺丝技术
%K 豆角状纳米电缆
%K 氧化钇
%K 氧化铕
%K 二氧化硅
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract338690.shtml