%0 Journal Article
%T 同轴三层纳米电缆NiO@SiO2@TiO2的制备与表征
%A 宋超
%A 董相廷
%A 王进贤
%A 刘桂霞
%J 化学学报
%P 1186-1190
%D 2011
%X 采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,成功地制备出了NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆.采用差热-热重(TG-DTA)分析、X射线衍射(XRD)分析、傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析、扫描电子显微镜(SEM)分析和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行表征,结果表明,所得产物为NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆,内层为NiO,直径大约为40～50nm|中间层为SiO2,厚度大约为40～45nm|外层为TiO2,厚度大约为45～50nm.对NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆的形成机理进行了讨论.
%K NiO@SiO2@TiO2
%K 同轴三层纳米电缆
%K 静电纺丝技术
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract340085.shtml