%0 Journal Article
%T NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆的制备、表征及形成机理研究
%A 宋超
%A 董相廷
%A 王进贤
%A 刘桂霞
%J 化学学报
%P 2471-2478
%D 2011
%X 采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2＋PVP]@[SnCl4＋PVP]@[Zn(CH3COO)2＋PVP]@[Ti(OC4H9)4＋CH3COOH＋PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆.采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征.结果表明,所得产物为同轴四层纳米电缆,芯层为NiO,直径为35～55nm|第二层为SnO2,厚度为30～50nm|第三层为Zn2TiO4,厚度为25～40nm|壳层为TiO2,厚度为40～90nm.对同轴四层纳米电缆的形成机理进行了探讨.
%K NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2
%K 同轴四层纳米电缆
%K 静电纺丝技术
%K 形成机理
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract340538.shtml